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山川 浩二*; 知見 康弘; 石川 法人; 岩瀬 彰宏*
Journal of Alloys and Compounds, 370(1-2), p.211 - 216, 2004/05
被引用回数：1 パーセンタイル：12.44(Chemistry, Physical)Pd系希薄合金(Pd-1at.% Fe-H及びPd-1at.% Ag-H)における水素の移動について、50K付近の電気抵抗測定により調べた。0.5MeV電子線を15K以下で照射することにより不規則化した水素原子は、試料の昇温中に原子移動により規則化した。このときの電気抵抗の回復曲線には、電子線照射した試料では2つのサブステージが、急冷した試料では1つのステージのみが見られた。各ステージでの水素の移動エネルギーは、規則化に起因する電気抵抗変化をクロスカット法で解析することにより得られた。低温ステージでの移動エネルギーは高温ステージよりも小さく、高温ステージでの値は急冷の場合と同程度であった。Pd系合金に関して、照射による水素原子の不規則化と急冷によるものとの違いについて議論する。
根本 義之; 長谷川 晃*; 佐藤 学*; 阿部 勝憲*; 平岡 裕*
Journal of Nuclear Materials, 324(1), p.62 - 70, 2004/01
被引用回数：38 パーセンタイル：90.12(Materials Science, Multidisciplinary)本研究においては純Mo及びMo-Re合金(Re濃度2,4,5,10,13,41wt%)を、照射温度681K
1072Kで約20dpaまで中性子重照射した試料を用いて研究を行った。微細組織観察において全てのMo-Re合金の照射試料で
相と
相の析出物が観察された。また全ての照射試料でボイドが観察され、低温度で照射した試料では転位ループ及び転位が観察された。ビッカース硬さ試験では全ての照射試料において照射硬化が測定され、特にMo-41Reの874K以下で照射した試料において硬化量が大きくなった。これらの結果からMo-Re合金の中性子重照射による微細組織発達と照射硬化及び照射脆化との関連について議論を行い、照射下で使用するMo-Re合金への最適なRe添加量及び熱処理条件を提案した。
石井 敏満; 大岡 紀一; 星屋 泰二; 小林 英男*; 齋藤 順市; 新見 素二; 辻 宏和
Journal of Nuclear Materials, 307-311(Part.1), p.240 - 244, 2002/12
被引用回数：3 パーセンタイル：23.41(Materials Science, Multidisciplinary)軽水炉や核融合炉などの構造材料の照射脆化を超音波法で非破壊的に評価する試験技術の開発を進めている。本研究では、原子炉圧力容器用A533B-1鋼材,不純物Pの含有量を低く調整したA533B-1鋼材及びサブマージマーク溶接部から製作した衝撃試験片をJMTRにおいて523K又は563Kで中性子照射した後、遠隔操作による超音波測定を行い、試験片中を伝わる超音波の音速及び減衰率を求めた。その結果、照射材では、未照射材に比べて横波,縦波ともに音速が低下し、縦波の減衰率は上昇する傾向があることがわかった。音速の低下は、中性子照射による鋼材の剛性率及びヤング率の低下に起因することが推測される。また、シャルピー吸収エネルギーの41Jレベル遷移温度シフト量の照射に伴う増加に対して、超音波の音速は低下し、減衰率は上昇する特性があることを見いだした。
bulk samples and formation of columner defects on high-Tc supercoductor岡安 悟; 笹瀬 雅人; 北條 喜一; 知見 康弘; 岩瀬 彰宏; 池田 博*; 吉崎 亮造*; 神原 正*; 佐藤 浩行*; 浜谷 祐多郎*; et al.
Physica C, 382(1), p.104 - 107, 2002/10
被引用回数：28 パーセンタイル：75.41(Physics, Applied)新超伝導物質MgBの超伝導特性を改善するために照射効果を調べた。電子線照射は焼結体試料の粒界結合を損なうため、超伝導特性は悪くなる。一方、高エネルギー重イオン照射は、臨界電流密度ならびに不可逆磁場を改善する。また、高温超伝導体における円柱状欠陥生成メカニズムについて熱スパイクモデルを改良したTime-dependent Line Sourceモデルを適用して解析した。その結果、高速イオンが電子系に与えるエネルギーSeのうち1/4~1/3の値しか円柱状欠陥生成に寄与していないことがわかった。
飯田 敏行*; 田中 照也*; 佐藤 文信*; 落合 謙太郎; 西谷 健夫
JAERI-Tech 2002-077, 38 Pages, 2002/09
核融合診断系の設計のために、中性子照射下における電気絶縁材料の過渡的な特性低下の問題が注目されている。本研究では、酸化マグネシウムを絶縁体とした同軸型無機絶縁(MI)ケーブルの14MeV中性子照射下における電気的特性の変化について調べている。14MeV中性子照射実験は日本原子力研究所FNS施設において実施した。MIケーブルの芯線-シース間の漏れ電流の変化を中性子誘起伝導の効果として測定した。中性子誘起電流は芯線-シース間電圧及び中性子フラックスにほぼ比例して増加した。また、中性子フラックスが大きく変化する時に大きな誘起電流が過渡的に発生することや、芯線とシースが同電位である場合にも誘起電流が生ずることを観測した。これらの現象は、ケーブル絶縁層内に電荷蓄積が起こっていることやそれに伴う分極効果が複雑にケーブルの電気伝導特性に影響していることを示唆している。また、放射線誘起伝導の機構を調べるために行った
線照射実験及びパルスX線照射実験の結果と若干の考察を述べる。
西谷 健夫; 四竈 樹男*; 杉江 達夫; 河西 敏; 石塚 悦男; 河村 弘; 角田 恒巳; 八木 敏明; 田中 茂; 鳴井 實*; et al.
JAERI-Research 2002-007, 149 Pages, 2002/03
JAERI-Research-2002-007.pdf:8.08MB
ITER工学R&Dの一環として計測機器要素の照射試験を核分裂中性子,線,14-MeV中性子を用いて実施した。14-MeV中性子及びCo-60線照射下におけるKU-1溶融石英の紫外域透過率を測定したところ、200-300nmの波長域に著しい透過損失が生じることがわかった。5種類のITER共通資料の光ファイバーをJMTR及びCo-60線で照射試験を行った。KS-4V,KU-H2G及びフッ素添加ファイバーは極めて高い耐放射線性を示し、ITERの真空容器外側付近まで導入できる見通しを得た。マイカ薄膜ボロメータを0.1dpaまでJMTRで照射した。第1照射サイクルの停止時にボロメータの断線が発生し、金を蒸着した抵抗体は、ITERにおいて問題であることを示した。磁気プローブもJMTRで照射試験を行った。磁気プローブに長時間デジタル積分器を接続したところ、1000sに対し、10-40 mVsのドリフトが観測されたが、照射誘起起電力ばかりでなく、積分器自体のドリフトによる発生したと考えられる。1000sの積分時間に対し、ドリフトを0.5 mVs以下に抑えうる、ITER仕様の磁気プロープをMIケーブルを用いて製作できる見通しが得られた。
山本 新; 四竈 樹男*; Belyakov, V.*; Farnum, E.*; Hodgson, E. R.*; 西谷 健夫; Orlinski, D.*; Zinkle, S.*; 河西 敏; Stott, P.*; et al.
Journal of Nuclear Materials, 283-287(1), p.60 - 69, 2000/12
被引用回数：67 パーセンタイル：96.23(Materials Science, Multidisciplinary)ITER国際熱核融合実験炉の計測機器要素のうちで高放射線環境下で使用が予想されるセラミック絶縁材,窓材,光ファイバー,鏡材,線材、そして、磁気プローブ,ボロメータなどの諸特性(電気,光,熱,機械特性など)に与える放射線の影響が、日,米,欧,露の4極により、ITERのR&Dタスク協定に基づいて実験的に調べられた。現在、それらのデータを用いて、計測機器の性能評価,放射線遮蔽を含む計測機器設計作業及び保守シナリオ検討などを十分に行える段階に達している。この講演においては、ITERのEDA工学設計活動を通じてなされた計測要素に対する照射効果の研究に関連する活動及び成果をレビューする。そのレビューを通じて、4極の活動が、中央設計チームを中核とする活動により有機的に結合され、R&D資源の効率化がもたらされたこと、また各々の極の研究内容の深化がもたらされたことを具体的な例を上げて述べる。
Cu
O
thin film石川 法人; 岩瀬 彰宏; 岩田 忠夫; 前田 裕司; 鶴 浩二*; 道上 修*
J. Supercond., 7(1), p.241 - 242, 1994/00
C軸配向したEuBaCuO超伝導薄膜について、ピニング機構のHeイオン照射効果を調べた。ピニングの強さを表わす磁束の活性化エネルギーを磁場中抵抗の温度依存性から見積った。flux creep modelが成り立つと考えられる低抵抗領域における活性化エネルギーは、Heイオンの照射量の増加にしたがって減少し、ピニング特性が劣化することが分かった。さらに我々は、臨界電流密度の照射量依存性を測定し、それがT
の殆ど変化しない低照射量領域(~10
cm
)ですでに減少し、Heイオン照射による点状欠陥がピニングセンターとして機能しない、という結論を得た。
岩田 忠夫; 岩瀬 彰宏
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 61, p.436 - 440, 1991/00
被引用回数：6 パーセンタイル：62.92(Instruments & Instrumentation)タンデム及び2MVバンデグラフ加速器を利用して行った一連の極低温イオン照射実験を照射アニーリング現象を中心にしてまとめたものである。内容は以下のようである。(i)高エネルギー重イオン照射の場合に特に著しい照射アニーリング現象を見出した。(ii)照射アニーリングを同時に生じている欠陥生成から分離することに成功し、その断面積を求めた。(iii)従来の欠陥生成の式に照射アニーリングの項を加えた式を提案し、その近似解を与え、またそれにより実験の解析が適切に行えることを示した。(iv)各種のイオン照射においてPKA(1次はじき出し原子)のエネルギースペクトルが著しく異なるが、それを特徴づけるパラメータとしてPKAメディアンエネルギーを提案し、その実験的及び理論的根拠を与えた。
高村 三郎; 北島 一徳*; 安部 博信*
Journal of Nuclear Materials, 144, p.205 - 206, 1987/00
被引用回数：2 パーセンタイル：64.42(Materials Science, Multidisciplinary)Fe-Crフェライト鋼およびこれにNiを加えたオーステナイト鋼を低温で中性子照射した後、電気抵抗の等時焼鈍曲線を求め、点欠陥の回復過程を調べた。格子間原子の移動がフェライト鋼では主に180kで起こるが、オーステナイト鋼では110kから始まる。オーステナイト鋼では400kに大きな回復が見られる。空孔移動によっている。照射欠陥生成による電気抵抗増加量が2つの鋼で大きく異なっている。
岩瀬 彰宏; 佐々木 茂美; 岩田 忠夫; 仁平 猛*
Journal of Nuclear Materials, 141-143, p.786 - 789, 1986/00
被引用回数：13 パーセンタイル：79.17(Materials Science, Multidisciplinary)ニッケルの薄膜試料に各種のイオンを極低温で照射し、電気抵抗変化を測定した。それぞれの場合における抵抗変化の総量は約500n
・cmであり、そこでは欠陥生成の飽和現象が観測された。照射後、アニーリングの測定を300°Kまで行った。損傷断面積及び再結合体積を求め、計算値と比較した。また、いわゆるステージIの回復の総量及び構造を調べた。これらの諸量がPKA(1次はじき出し原子)の平均エネルギーに依存して変化する様子を明らかにした。
仲田 清智*; 高村 三郎; 多田 直文*; 正岡 功*
Journal of Nuclear Materials, 135, p.32 - 39, 1985/00
被引用回数：4 パーセンタイル：54.56(Materials Science, Multidisciplinary)銅とアルミニウムを約5Kで高速中性子照射し、その後300Kに焼なましをし、これらをくり返し行った。4.2Kでの磁場中の電気抵抗変化を測定し、加工度と純度の影響について調べた。その結果、照射による電気抵抗増加量は銅はアルミニウムの1/3であるが、照射後300Kに焼なますと約20%は残留する。この残留量は加工材の方が焼鈍材より小さい。また電気抵抗比が1400の高純度材の磁気抵抗増加量は電気抵抗比300のものより大きく、磁場を増すと共に増加する。加工材の照射前の電気抵抗はかなり大きいので、安定化材として使用するには、電気抵抗比が300位の銅の焼鈍材が最適である。
高村 三郎; 小桧山 守*
Radiat.Eff.Lett., 86, p.43 - 46, 1985/00
低温で高速中性子照射した非晶質PdSi合金を室温まで昇温することに伴う回復過程を電気抵抗の測定によって調べた。360
Cに焼なましをして結晶化した合金と対比してみると、結晶化した合金では照射による電気抵抗の増加は10倍に増加する。室温までの回復率は非晶質合金の方が大きいことがわかった。
高村 三郎; 奥田 重男*
Journal of Nuclear Materials, 72(1-2), p.244 - 248, 1978/02
被引用回数：1V,Nb単結晶、Nb-50wt%Ti単芯線、NbSnを5Kで速中性子照射後の臨界電流を測定した。また焼なまし効果について調べた結果を報告する。V,Nb単結晶は照射直後ピーク効果が見られ、Vでは200Kに焼なますと消滅するが、Nbでは300Kに焼なましても消滅しない。電気抵抗の回復過程と比較して議論する。また磁束線と点欠陥間の相互力についても述べる。
高村 三郎
JAERI-M 6816, 53 Pages, 1976/12
将来の核融合炉には超伝導磁石の使用が予定されるが、超伝導磁石は速中性子の照射を受けるため、その照射効果を調べておく必要がある。超伝導体の臨界電流、臨界温度の照射による変化、安定化金属の電気抵抗の増加、複合線材の安定性の劣化などが問題になる。この報告書は超電動線材に対する速中性子線照射、粒子線照射の照射効果について研究の現状を概説した。
